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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
15.5
15.7
写入速度,GB/s
10.1
9.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2595
2713
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
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