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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 60
    左右 -114% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 14900
    左右 1.72 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 14.0
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2663

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Micron Technology 16G3200CL22 16GB RAM的比较

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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内存RAM
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内存RAM
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