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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 60
    左右 -107% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.5 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.7 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 14900
    左右 1.29 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 12.5
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 9.7
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2609

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston KYXC0V-MID 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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