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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 60
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.3 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 14900
    左右 1.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2761

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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