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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
56
读取速度,GB/s
13.9
9.3
写入速度,GB/s
9.5
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2200
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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