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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.8
18.0
写入速度,GB/s
12.5
13.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3334
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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