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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.6
13.8
写入速度,GB/s
8.3
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
2140
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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