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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
17.8
写入速度,GB/s
8.6
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3208
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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