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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
92
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
28
读取速度,GB/s
2,105.4
18.2
写入速度,GB/s
1,266.1
14.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3501
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
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