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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
9.7
17.5
写入速度,GB/s
6.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3171
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Frequency (Mhz) *
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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