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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
71
左右 -163% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
27
读取速度,GB/s
2,831.6
14.3
写入速度,GB/s
1,322.6
9.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2979
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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