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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
71
左右 -238% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
21
读取速度,GB/s
2,831.6
19.1
写入速度,GB/s
1,322.6
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3264
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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