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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
71
左右 -318% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
17
读取速度,GB/s
2,831.6
21.4
写入速度,GB/s
1,322.6
19.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3775
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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