RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
71
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
17
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3775
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link