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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
71
左右 -184% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
25
读取速度,GB/s
2,831.6
14.8
写入速度,GB/s
1,322.6
11.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2305
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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