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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
71
左右 -129% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
31
读取速度,GB/s
2,831.6
17.3
写入速度,GB/s
1,322.6
14.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3112
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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