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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
71
左右 -223% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
22
读取速度,GB/s
2,831.6
18.1
写入速度,GB/s
1,322.6
13.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3172
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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