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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

总分
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB 需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 17.3
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 39
    左右 -39% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 1,597.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    5,022.9 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    1,597.0 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    753 left arrow 3325

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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内存RAM
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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