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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
比较
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
总分
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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规格
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
63
左右 -271% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
17
读取速度,GB/s
6.1
20.8
写入速度,GB/s
5.0
16.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
3623
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB RAM的比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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