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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
13.8
18.1
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3226
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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