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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
27
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
19
读取速度,GB/s
13.8
19.9
写入速度,GB/s
8.4
18.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3691
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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