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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
18.0
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3385
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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