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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
18.9
写入速度,GB/s
8.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3870
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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