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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
72
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
72
读取速度,GB/s
13.8
15.4
写入速度,GB/s
8.4
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1682
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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