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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
20.2
写入速度,GB/s
8.4
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3844
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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