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PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641162 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs INTENSO 5641162 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
INTENSO 5641162 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641162 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641162 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
16.2
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2799
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
INTENSO 5641162 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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