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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.8
16.8
写入速度,GB/s
8.4
16.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3573
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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