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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
14.3
写入速度,GB/s
8.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2583
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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