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PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
14.5
写入速度,GB/s
8.4
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2625
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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