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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
38
读取速度,GB/s
16.7
13.7
写入速度,GB/s
10.0
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2394
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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