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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

总分
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB 需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 18.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,069.2 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 106
    左右 -279% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    106 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    3,273.7 left arrow 18.8
  • 写入速度，GB/s
    2,069.2 left arrow 15.6
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    734 left arrow 3465

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Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
内存RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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