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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
比较
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
41
读取速度,GB/s
13.5
11.1
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1932
1348
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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