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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
35
读取速度,GB/s
9.0
14.4
写入速度,GB/s
5.7
9.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
2452
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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