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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
15.1
写入速度,GB/s
10.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3109
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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