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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
76
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
76
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1587
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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