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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
16.8
写入速度,GB/s
2,123.3
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3488
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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