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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
4,217.2
18.6
写入速度,GB/s
1,857.7
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3406
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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