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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
13.7
写入速度,GB/s
1,950.7
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2128
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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