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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
66
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
66
读取速度,GB/s
4,241.0
11.4
写入速度,GB/s
1,950.7
7.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1604
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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