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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,241.0
17.2
写入速度,GB/s
1,950.7
13.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3199
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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