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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

总分
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

总分
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 19.3
    测试中的平均数值
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 58
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 1,950.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    4,241.0 left arrow 19.3
  • 写入速度，GB/s
    1,950.7 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    651 left arrow 3557

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较

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Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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内存RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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