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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,241.0
19.5
写入速度,GB/s
1,950.7
15.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3631
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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