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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
58
左右 -205% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
19
读取速度,GB/s
4,241.0
20.0
写入速度,GB/s
1,950.7
17.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3499
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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