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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
58
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
37
读取速度,GB/s
4,241.0
15.2
写入速度,GB/s
1,950.7
10.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2528
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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