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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
58
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
32
读取速度,GB/s
4,241.0
10.8
写入速度,GB/s
1,950.7
9.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2618
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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