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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
46
左右 -156% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
18
读取速度,GB/s
2,909.8
21.3
写入速度,GB/s
1,519.2
15.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3778
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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