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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
56
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.3
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
56
读取速度,GB/s
2,909.8
9.3
写入速度,GB/s
1,519.2
7.7
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2200
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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