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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
3,405.2
13.9
写入速度,GB/s
2,622.0
12.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2697
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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