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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
3,405.2
16.2
写入速度,GB/s
2,622.0
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2706
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
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