RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2706
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link